Soitec vient de dévoiler un nouveau substrat, l’eSI90, permettant d’améliorer la performance de radiofréquence des composants de communication mobile intégrée dans les smartphones haut de gamme.

Améliorer les performances RF des composants des smartphones haut de gamme

Soitec vient d’annoncer la sortie de son nouveau substrat, l’eSI90 RF-SOI qui améliore les performances RF des composants des smartphones haut de gamme pour les réseaux LTE-Advanced. Ce substrat eSI90 de dernière génération est le produit haut de gamme de sa famille de substrats RF-SOI en silicium sur isolant destinés aux applications de radiofréquence. Il a été fabriqué pour améliorer la performance de radiofréquence (RF) des composants de communication mobile, tels que les commutateurs et adaptateurs d’antenne à haute linéarité, intégrés dans les smartphones haut de gamme pour les réseaux LTE-Advanced qui utilisent l’agrégation de porteuses.

Avoir des dispositifs RF haute performance pour les smartphones LTE-A

Grâce à ce substrat il est possible d’utiliser en même temps plusieurs bandes de fréquences pour obtenir des débits plus importants indique Soitec. Le groupe a évalué que plus d’un milliard de circuits RF sont produits chaque trimestre à partir de ses plaques eSI et précise que des échantillons sont déjà disponibles. Soitec indique dans son communiqué que les plaques eSI90 représentent la deuxième génération des substrats eSI du groupe et sont basées sur des substrats très résistants qui permettent d’être bien adapté aux applications RF. Ces derniers sont très appréciés des fabricants de semi-conducteurs RF et permettent de réduire les coûts des circuits, recherchés sur les marchés de l’Internet mobile 3G, 4G et LTE.

soitec grenoble

Caractéristiques des substrats eSI

Les substrats eSI de Soitec sont innovants et basés sur la technologie Smart Cut précise le groupe. Ils sont les premiers substrats qui disposent d’un matériau de type Trap Rich et ont un impact sur les performances des produits finaux. Ils sont obtenus par l’introduction d’un matériau innovant de type Trap Rich entre la couche hautement résistive (HR) du substrat support et l’oxyde enterré. Les fabricants de circuits RF pourront intégrer diverses fonctions en utilisant ces substrats, comme les amplificateurs de puissance, les tuners d’antenne ou les commutateurs. Le substrat apportera une isolation RF et une meilleure conductivité thermique, permettant une intégrité de signal supérieur par rapport aux autres systèmes proposés.

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